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SiliconSCIE

國際簡稱：SILICON-NETH 參考譯名：硅

中科院分區(qū)
3區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q2
JCR分區(qū)
Q3

基本信息：: ISSN：1876-990X; E-ISSN：1876-9918; 是否OA：未開放; 是否預(yù)警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：NETHERLANDS; 出版商：Springer Netherlands; 出版語言：English; 出版周期：18 issues per year; 出版年份：2009; 研究方向：CHEMISTRY, PHYSICAL-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY

評價信息：: 影響因子：2.8; H-index：19; CiteScore指數(shù)：5.9; SJR指數(shù)：0.535; SNIP指數(shù)：1.061

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：2.42%; 研究類文章占比：96.53%; 年發(fā)文量：547; 自引率：0.2058...; 開源占比：0.0127; 出版撤稿占比：0.0014...; 出版國人文章占比：0.07; OA被引用占比：0.0139...

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Silicon期刊介紹

The journal Silicon is intended to serve all those involved in studying the role of silicon as an enabling element in materials science. There are no restrictions on disciplinary boundaries provided the focus is on silicon-based materials or adds significantly to the understanding of such materials. Accordingly, such contributions are welcome in the areas of inorganic and organic chemistry, physics, biology, engineering, nanoscience, environmental science, electronics and optoelectronics, and modeling and theory. Relevant silicon-based materials include, but are not limited to, semiconductors, polymers, composites, ceramics, glasses, coatings, resins, composites, small molecules, and thin films.

期刊簡介Silicon期刊介紹

《Silicon》自2009出版以來，是一本材料科學優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學研究結(jié)果，并為材料科學各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進材料科學領(lǐng)域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道材料科學領(lǐng)域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關(guān)注點：

預(yù)計審稿時間： 12周，或約稿
材料科學
CHEMISTRY, PHYSICAL
SCIE
中科院3區(qū)
非預(yù)警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Silicon Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：5.9
SJR：0.535
SNIP：1.061

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	81 / 284	71%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ)，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Silicon 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)
材料科學	3區(qū)	CHEMISTRY, PHYSICAL 物理化學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合	3區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運用科學計量學方法對國際、國內(nèi)學術(shù)期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Silicon JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：CHEMISTRY, PHYSICAL	SCIE	Q3	103 / 178	42.4%
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	229 / 438	47.8%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：CHEMISTRY, PHYSICAL	SCIE	Q3	107 / 178	40.17%
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	255 / 438	41.89%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學術(shù)文獻質(zhì)量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

國家/地區(qū)數(shù)量
India602
Egypt184
Iran169
CHINA MAINLAND117
Saudi Arabia88
Algeria53
Turkey40
Pakistan30
Iraq29
Tunisia29

本刊中國學者近年發(fā)表論文

1、Mass Transfer Model of Oriented Silicon Steel Coil during the First Soaking in Annular Furnace
Author: Xia, Tian; He, Zhu; Xiang, Zhidong; Shen, Xinyi; Li, Weijie

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 269-284. DOI: 10.1007/s12633-022-01996-x
2、Carbon Nanotube (10,0) and Silicon Nanotube (7,0) as a Novel Material for Drug Delivery of Substituted Eugenols as Antioxidant Drugs
Author: Hussein, Shaymaa Abed; Mohammed, Mohanad Adel; Mahdi, Marwah M.; Al Mashhadani, Zuhair, I; Abood, Emad Salaam; Zhao, Xiaoguang

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 285-291. DOI: 10.1007/s12633-022-02026-6
3、The Effect of Temperature on Silicon Nucleation from Melt in Seed-assisted Growth - a Molecular Dynamics Study
Author: Xia, Manyu; Liu, Shilong; Liu, Shuhui; Wu, Jiahui; Gan, Xianglai; Zhou, Naigen

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 405-415. DOI: 10.1007/s12633-022-02024-8
4、Study of Xonotlite Whisker Used to Inhibit the High-Temperature Strength Decline of Cementing Cement Stone
Author: Peng, Zhigang; Chen, Jinxu; Feng, Qian; Zheng, Yong; Zhang, Bojian

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 425-436. DOI: 10.1007/s12633-022-02032-8
5、Study of Factors Affecting the Color Fastness of High Depth fiber Dyed in Silicon Non-aqueous Medium Dyeing System
Author: Luo, Yuni; Cheng, Wenqing; Chen, Wenmiao; Pei, Liujun; Saleem, Muhammad Asad; Cai, Zaisheng; Wang, Jiping

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 459-469. DOI: 10.1007/s12633-022-01753-0
6、Effects of Temperature and Si3N4 Diluent on Nitriding of Diamond Wire Silicon Cutting Waste
Author: Wang, Lijuan; Zhuang, Yanxin; Xing, Pengfei

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 521-531. DOI: 10.1007/s12633-022-02005-x
7、Purification of Quartz Via Low-Temperature Microwave Chlorinated Calcination Combined with Acid Leaching and its Mechanism
Author: Song, Wangfeng; Jiang, Xuesong; Chen, Chen; Ban, Boyuan; Wan, Songming; Chen, Jian

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 2, pp. 971-981. DOI: 10.1007/s12633-022-01749-w
8、Thermodynamic Analysis of Dissolved Oxygen in a Silicon Melt and the Effect of Processing Parameters on the Oxygen Distribution in Single-crystal Silicon During Czochralski Growth
Author: Li, Tai; Zhao, Liang; Lv, Guoqiang; Ma, Wenhui; Zhang, Mengyu; Huang, Zhenling

Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 2, pp. 1049-1062. DOI: 10.1007/s12633-022-02059-x